N-Kanal 250 V 82 A (Tc) 500W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P
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IXTQ82N25P

DigiKey-Teilenr.
IXTQ82N25P-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTQ82N25P
Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 82A TO3P
Standardlieferzeit des Herstellers
30 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 250 V 82 A (Tc) 500W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
142 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4800 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
500W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
250 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3P
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
35mOhm bei 41A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 8.48000Fr. 8.48
30Fr. 5.02600Fr. 150.78
120Fr. 4.26750Fr. 512.10
510Fr. 3.71198Fr. 1’893.11
1’020Fr. 3.66811Fr. 3’741.47
Standardverpackung des Herstellers
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