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Datenblatt
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IXTQ86N25T

DigiKey-Teilenr.
238-IXTQ86N25T-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTQ86N25T
Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 86A TO3P
Standardlieferzeit des Herstellers
25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 250 V 86 A (Tc) 540W (Ta) Durchkontaktierung TO-3P
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
37mOhm bei 43A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5330 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
540W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3P
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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