IXTT10N100D IXYS | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTT10N100D
DigiKey-Teilenr.	238-IXTT10N100D-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTT10N100D
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 10A TO268
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 10 A (Tc) 400W (Tc) Oberflächenmontage TO-268AA
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	Depletion
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal, Verarmungsmodus
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,4Ohm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	130 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2500 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	400W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-268AA
Gehäuse / Hülle	TO-268-3, D3PAK (2 Pins + Lasche), TO-268AA
Basis-Produktnummer	IXTT10