Name: IXTT16N20D2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTT16N20D2-ND
Price: 18.22566 CHF
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTT16N20D2
DigiKey-Teilenr.	238-IXTT16N20D2-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTT16N20D2
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 16A TO268
Standardlieferzeit des Herstellers	49 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal, Verarmungsmodus 200 V 16 A (Tc) 695W (Tc) Oberflächenmontage TO-268AA
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IXTT16N20D2 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	Depletion
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal, Verarmungsmodus
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	16 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	73mOhm bei 8A, 0V
Vgs(th) (max.) bei Id	-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	208 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5500 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	695W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-268AA
Gehäuse / Hülle	TO-268-3, D3PAK (2 Pins + Lasche), TO-268AA
Basis-Produktnummer	IXTT16

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