TO-268
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TO-268
IXTT90P10P

IXTT90P10P

DigiKey-Teilenr.
238-IXTT90P10P-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTT90P10P
Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 90A TO268
Standardlieferzeit des Herstellers
37 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
P-Kanal 100 V 90 A (Tc) 462W (Tc) Oberflächenmontage TO-268AA
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IXTT90P10P Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
25mOhm bei 45A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5800 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
462W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-268AA
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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