IXTU5N50P IXYS | Diskrete Halbleiterprodukte

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTU5N50P
DigiKey-Teilenr.	IXTU5N50P-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTU5N50P
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 4.8A TO252
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 500 V 4,8 A (Tc) 89W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	Polar
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,8 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,4Ohm bei 2,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,5V bei 50µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	12.6 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	620 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	89W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252AA
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	IXTU5