Name: IXTX110N20L2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTX110N20L2-ND
Price: 32.43 CHF
Availability: InStock

N-Kanal 200 V 110 A (Tc) 960W (Tc) Durchkontaktierung PLUS247™-3

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IXTX110N20L2
DigiKey-Teilenr.	238-IXTX110N20L2-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTX110N20L2
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247-3
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 110 A (Tc) 960W (Tc) Durchkontaktierung PLUS247™-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 3mA
Herst. IXYS	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 500 nC @ 10 V
Serie Linear L2™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 23000 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 960W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PLUS247™-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 110 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-247-3 Variante
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IXTX110
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 24mOhm bei 55A, 10V

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