Name: IXTY1R6N50D2-TRL
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTY1R6N50D2-TRLTR-ND
Price: 3.9997 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTY1R6N50D2-TRL
DigiKey-Teilenr.	238-IXTY1R6N50D2-TRLTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 238-IXTY1R6N50D2-TRLCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 238-IXTY1R6N50D2-TRLDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTY1R6N50D2-TRL
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA
Standardlieferzeit des Herstellers	50 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal, Verarmungsmodus 500 V 1,6 A (Tj) 100W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	Depletion
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal, Verarmungsmodus
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1,6 A (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	0V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,3Ohm bei 800mA, 0V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	23.7 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	645 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	100W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252AA
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	IXTY1