


IXTY2N65X2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IXTY2N65X2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXTY2N65X2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 2A TO252 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 41 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 2 A (Tc) 55W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 4.3 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 180 pF @ 25 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 55W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Oberflächenmontage |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252AA |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,3Ohm bei 1A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FDD5N60NZTM | onsemi | 35’873 | FDD5N60NZTMCT-ND | Fr. 1.48000 | Ähnlich |
| IPD80R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | 624 | IPD80R2K0P7ATMA1CT-ND | Fr. 1.10000 | Ähnlich |
| STD4N62K3 | STMicroelectronics | 3’318 | 497-STD4N62K3CT-ND | Fr. 2.20000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.38000 | Fr. 2.38 |
| 70 | Fr. 1.11871 | Fr. 78.31 |
| 140 | Fr. 1.01143 | Fr. 141.60 |
| 560 | Fr. 0.84493 | Fr. 473.16 |
| 1’050 | Fr. 0.78647 | Fr. 825.79 |
| 2’030 | Fr. 0.73428 | Fr. 1’490.59 |
| 5’040 | Fr. 0.67509 | Fr. 3’402.45 |
| 10’010 | Fr. 0.66692 | Fr. 6’675.87 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 2.38000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 2.57278 |

