IXTU12N06T IXYS | Diskrete Halbleiterprodukte

IXTU12N06T ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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STMicroelectronics

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Stückpreis : Fr. 0.80000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTU12N06T
DigiKey-Teilenr.	IXTU12N06T-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTU12N06T
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 12A TO251
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 12 A (Tc) 33W (Tc) Durchkontaktierung TO-251AA
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	Trench
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	85mOhm bei 6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 25µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	3.4 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	256 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	33W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-251AA
Gehäuse / Hülle	TO-251-3 mit kurzen Pins, IPAK, TO-251AA
Basis-Produktnummer	IXTU12