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Taiwan Semiconductor Corporation
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Datenblatt
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

BC337-AP

DigiKey-Teilenr.
BC337-APMSTB-ND - Band & Box (TB)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
BC337-AP
Beschreibung
TRANS NPN 45V 0.8A TO-92
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 45 V 800 mA 210MHz 625 mW Durchkontaktierung TO-92
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Band & Box (TB)
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
800 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
45 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
700mV bei 50mA, 500mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
200nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
60 bei 300mA, 1V
Leistung - Max.
625 mW
Frequenz - Übergang
210MHz
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92
Basis-Produktnummer
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