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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
MSJP11N65-BP | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 353-MSJP11N65-BP-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | MSJP11N65-BP |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 11 A (Tc) 78W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB (H) |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Obsolet | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 380mOhm bei 5,5A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 21 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 901 pF @ 50 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 78W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220AB (H) | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 4’926
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Menge
Alle Preise in CHF
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.04000 | Fr. 2.04 |
| 50 | Fr. 1.00080 | Fr. 50.04 |
| 100 | Fr. 0.89990 | Fr. 89.99 |
| 500 | Fr. 0.72308 | Fr. 361.54 |
| 1’000 | Fr. 0.66625 | Fr. 666.25 |
| 2’000 | Fr. 0.61847 | Fr. 1’236.94 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 2.04000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 2.20524 |
Schweiz