N-Kanal 1200 V 86 A (Tc) 375W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AB
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SICW025N120H-BP

DigiKey-Teilenr.
353-SICW025N120H-BP-ND
Hersteller
MCC (Micro Commercial Components)
Hersteller-Teilenummer
SICW025N120H-BP
Beschreibung
SIC MOSFET,TO-247AB
Standardlieferzeit des Herstellers
52 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 86 A (Tc) 375W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AB
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
MCC (Micro Commercial Components)
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
86 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
33mOhm bei 40A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 50mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
305 nC @ 20 V
Vgs (Max.)
+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4909 pF @ 800 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
375W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247AB
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
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