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1N5234BDO35
Microchip Technology
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1N5525B-1/TR
Microchip Technology
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1N5525BE3
Microchip Technology
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1N5525BE3/TR
Microchip Technology
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JAN1N5525B-1
Microchip Technology
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JAN1N5525B-1/TR
Microchip Technology
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Microchip Technology
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JAN1N5525C-1/TR
Microchip Technology
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JAN1N5525D-1
Microchip Technology
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JAN1N5525D-1/TR
Microchip Technology
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JANTX1N5525B-1
Microchip Technology
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JANTX1N5525B-1/TR
Microchip Technology
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JANTX1N5525C-1
Microchip Technology
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JANTX1N5525C-1/TR
Microchip Technology
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Dioden - Zener 6.2 V 500 mW ±5% Durchkontaktierung DO-204AH (DO-35)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

1N5525B-1

DigiKey-Teilenr.
1N5525B-1-ND
Hersteller
Microchip Technology
Hersteller-Teilenummer
1N5525B-1
Beschreibung
DIODE ZENER 6.2V 500MW DO204AH
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden - Zener 6.2 V 500 mW ±5% Durchkontaktierung DO-204AH (DO-35)
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
Microchip Technology
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
Spannung - Zener (Vz) (nom.)
6.2 V
Toleranz
±5%
Leistung - Max.
500 mW
Impedanz (max.) (Zzt)
30 Ohms
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
1 µA @ 5 V
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.1 V @ 200 mA
Betriebstemperatur
-65°C bis 175°C
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
DO-204AH, DO-35, Axial
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-204AH (DO-35)
Basis-Produktnummer
1N5525
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