Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 80 V 1 A 800 mW Durchkontaktierung TO-39 (TO-205AD)
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2N3019S

DigiKey-Teilenr.
2N3019S-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
2N3019S
Beschreibung
TRANS NPN 80V 1A TO39
Standardlieferzeit des Herstellers
40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 80 V 1 A 800 mW Durchkontaktierung TO-39 (TO-205AD)
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
500mV bei 50mA, 500mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
50 bei 500mA, 10V
Leistung - Max.
800 mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C bis 200°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-205AD, TO-39-3 Metallgehäuse
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-39 (TO-205AD)
Basis-Produktnummer
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