TO-247-3-PKG-Series
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

APT47N65BC3G

DigiKey-Teilenr.
150-APT47N65BC3G-ND
Hersteller
Microsemi Corporation
Hersteller-Teilenummer
APT47N65BC3G
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 47A TO247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 47 A (Tc) 417W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 [B]
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Microsemi Corporation
Serie
CoolMOS™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
47 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
70mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,9V bei 2,7mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
7015 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
417W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247 [B]
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Basis-Produktnummer
APT47N65
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