APTM100A13SCG
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

APTM100A13SCG

DigiKey-Teilenr.
APTM100A13SCG-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
APTM100A13SCG
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1000V (1kV) 65A 1250W Chassisbefestigung SP6
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Microchip Technology
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration
2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000V (1kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
65A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
156mOhm bei 32,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 6mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
562nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
15200pF bei 25V
Leistung - Max.
1250W
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
SP6
Gehäusetyp vom Lieferanten
SP6
Basis-Produktnummer
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