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1N5226BE3
Microchip Technology
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1N6312
Microchip Technology
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1N746A/TR
Microchip Technology
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1N746AE3
Microchip Technology
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1N746AE3/TR
Microchip Technology
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JAN1N5518B-1
Microchip Technology
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JAN1N5518B-1/TR
Microchip Technology
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JAN1N5518C-1
Microchip Technology
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JAN1N5518C-1/TR
Microchip Technology
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JAN1N5518D-1
Microchip Technology
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JAN1N5518D-1/TR
Microchip Technology
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JANHCA1N746A
Microchip Technology
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JANKCA1N746A
Microchip Technology
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JANS1N6312/TR
Microchip Technology
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Dioden - Zener 3.3 V 500 mW ±5% Durchkontaktierung DO-204AH (DO-35)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

JAN1N6312US

DigiKey-Teilenr.
1086-15927-ND
Hersteller
Microchip Technology
Hersteller-Teilenummer
JAN1N6312US
Beschreibung
DIODE ZENER 3.3V 500MW DO204AH
Standardlieferzeit des Herstellers
35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden - Zener 3.3 V 500 mW ±5% Durchkontaktierung DO-204AH (DO-35)
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
Microchip Technology
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
Spannung - Zener (Vz) (nom.)
3.3 V
Toleranz
±5%
Leistung - Max.
500 mW
Impedanz (max.) (Zzt)
27 Ohms
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
5 µA @ 1 V
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.4 V @ 1 A
Betriebstemperatur
-65°C bis 175°C
Klasse
Militärtechnik
Qualifizierung
MIL-PRF-19500/533
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
DO-204AH, DO-35, Axial
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-204AH (DO-35)
Basis-Produktnummer
1N6312
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