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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
LND150N3-G | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | LND150N3-G-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | LND150N3-G |
Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 14 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal, Verarmungsmodus 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Durchkontaktierung TO-92-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | LND150N3-G Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Tasche | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 0V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 1000Ohm bei 500µA, 0V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | - | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 10 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 740mW (Ta) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-92-3 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 1’796
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Menge
Alle Preise in CHF
Tasche
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.48000 | Fr. 0.48 |
| 25 | Fr. 0.41600 | Fr. 10.40 |
| 100 | Fr. 0.36800 | Fr. 36.80 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 0.48000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 0.51888 |
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