Neues Produkt
TO-247-4
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MSC180SMA120B4N

DigiKey-Teilenr.
150-MSC180SMA120B4N-ND
Hersteller
Microchip Technology
Hersteller-Teilenummer
MSC180SMA120B4N
Beschreibung
MOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-24
Standardlieferzeit des Herstellers
4 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 21 A (Tc) 147W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Microchip Technology
Serie
MSiC™ MA
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
21 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V, 20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
225mOhm bei 8A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 500µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
36 nC @ 20 V
Vgs (Max.)
+23V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
481 pF @ 1.2 kV
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
147W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-4
Gehäuse / Hülle
TO-247-4
Fragen und Antworten zum Produkt

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Menge
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 4.94000Fr. 4.94
25Fr. 4.56000Fr. 114.00
100Fr. 3.96800Fr. 396.80
Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 4.94000
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 5.34014