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Microchip Technology
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Parametrisches Äquivalent


Microchip Technology
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MSCSM120AM042D3AG

DigiKey-Teilenr.
150-MSCSM120AM042D3AG-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
MSCSM120AM042D3AG
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 495A
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 495 A (Tc) 2,031kW (Tc) Chassisbefestigung
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Microchip Technology
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-Kanal (Phasenabschnitt)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
495 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5,2mOhm bei 240A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,8V bei 18mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
1392nC bei 20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
18100pF bei 1000V
Leistung - Max.
2,031kW (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
Basis-Produktnummer
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