MXSMBJ2K3.3E3 Microsemi Corporation | Schaltungsschutz

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

MXSMBJ2K3.3E3
DigiKey-Teilenr.	150-MXSMBJ2K3.3E3-ND
Hersteller	Microsemi Corporation
Hersteller-Teilenummer	MXSMBJ2K3.3E3
Beschreibung	TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO214AA
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	5,8V Klemme 10 A (8/20µs) Ipp TVS - Dioden Oberflächenmontage DO-214AA (SMBJ)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	MXSMBJ2K3.3E3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Schaltungsschutz Überspannungsbegrenzer (TVS) TVS-Dioden
Herst.	Microsemi Corporation
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Obsolet
Typ	Zener
Unidirektionale Kanäle	1
Spannung - Rückwärts-Sperrsp. (typ.)	3,3V
Spannung - Durchbruch (Min.)	4,6V
Spannung - Klemmung (Max.) bei Ipp	5,8V
Strom - Spitzenimpuls (10/1000µs)	10 A (8/20µs)
Leistung - Spitzenimpulse	2000W (2kW)
Netzleitungsschutz	Nein
Anwendungen	Mehrzweck
Kapazität bei Frequenz	-
Betriebstemperatur	-65°C bis 150°C (TJ)
Klasse	Militärtechnik
Qualifizierung	MIL-PRF-19500
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	DO-214AA, SMB
Gehäusetyp vom Lieferanten	DO-214AA (SMBJ)