TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TP2635N3-G

DigiKey-Teilenr.
TP2635N3-G-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
TP2635N3-G
Beschreibung
MOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3
Standardlieferzeit des Herstellers
4 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
P-Kanal 350 V 180mA (Tj) 1W (Ta) Durchkontaktierung TO-92-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
TP2635N3-G Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Tasche
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
350 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
2,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
15Ohm bei 300mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2V bei 1mA
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
300 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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