Name: G3R75MT12K
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3R75MT12K-ND
Price: 12.84228 CHF
Availability: InStock

N-Kanal 1200 V 41 A (Tc) 207W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

G3R75MT12K
DigiKey-Teilenr.	1913-G3R75MT12K-ND
Hersteller	Navitas Semiconductor, Inc.
Hersteller-Teilenummer	G3R75MT12K
Beschreibung	SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 41 A (Tc) 207W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	G3R75MT12K Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Navitas Semiconductor, Inc.
Serie	G3R™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	41 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	90mOhm bei 20A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,69V bei 7,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	54 nC @ 15 V
Vgs (Max.)	+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1560 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	207W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-4
Gehäuse / Hülle	TO-247-4
Basis-Produktnummer	G3R75

Fragen und Antworten zum Produkt

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30	Fr. 7.27333	Fr. 218.20
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