Name: NGW75T65M3DFPQ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-NGW75T65M3DFPQ-ND
Price: 6.94002 CHF
Availability: InStock

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NGW75T65M3DFPQ
DigiKey-Teilenr.	1727-NGW75T65M3DFPQ-ND
Hersteller	Nexperia USA Inc.
Hersteller-Teilenummer	NGW75T65M3DFPQ
Beschreibung	NGW75T65M3DFP/SOT429-2/TO247-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 650 V 80 A 529 W Durchkontaktierung TO-247-3L
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	80 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	225 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	1,8V bei 15V, 75A
Leistung - Max.	529 W
Schaltenergie	2,79mJ (Ein), 1,39mJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	262 nC
Td (on/off) bei 25°C	44ns/305ns
Testbedingung	400V, 75A, 10Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	124 ns
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-3L

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