PHP18NQ11T,127 Nexperia USA Inc. | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

PHP18NQ11T,127
DigiKey-Teilenr.	1727-PHP18NQ11T,127-ND
Hersteller	Nexperia USA Inc.
Hersteller-Teilenummer	PHP18NQ11T,127
Beschreibung	MOSFET N-CH 110V 18A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 110 V 18 A (Tc) 79W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Nexperia USA Inc.
Serie	TrenchMOS™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	110 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	18 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	90mOhm bei 9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	633 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	79W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	PHP18NQ11

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10	Fr. 1.47400	Fr. 14.74
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100	Fr. 1.00300	Fr. 100.30

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