PMPB12R5EPX Nexperia USA Inc. | Diskrete Halbleiterprodukte

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Nexperia USA Inc.

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PMPB12R5EPX
DigiKey-Teilenr.	1727-PMPB12R5EPXTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1727-PMPB12R5EPXCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1727-PMPB12R5EPXDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Nexperia USA Inc.
Hersteller-Teilenummer	PMPB12R5EPX
Beschreibung	PMPB12R5EP - 30 V, P-CHANNEL TRE
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 8,8 A (Ta) 1,9W (Ta), 12,5W (Tc) Oberflächenmontage DFN2020M-6
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	PMPB12R5EPX Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Nexperia USA Inc.
Serie	TrenchMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	8,8 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	15mOhm bei 8,8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1392 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,9W (Ta), 12,5W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	DFN2020M-6
Gehäuse / Hülle	6-UDFN mit freiliegendem Pad
Basis-Produktnummer	PMPB12