PMPB8XNX Nexperia USA Inc. | Diskrete Halbleiterprodukte

PMPB8XNX ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Vom Hersteller empfohlen

Nexperia USA Inc.

Vorrätig: 2’797

Stückpreis : Fr. 0.66000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

PMPB8XNX
DigiKey-Teilenr.	1727-PMPB8XNXTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1727-PMPB8XNXCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1727-PMPB8XNXDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Nexperia USA Inc.
Hersteller-Teilenummer	PMPB8XNX
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 10.1A 6DFN
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 10,1 A (T A) 1,9W (Ta), 12,5W (Tc) Oberflächenmontage DFN2020MD-6
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10,1 A (T A)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	12mOhm bei 10,1A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	900mV bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	30 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1696 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,9W (Ta), 12,5W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	DFN2020MD-6
Gehäuse / Hülle	6-UDFN mit freiliegendem Pad
Basis-Produktnummer	PMPB8