PSMN017-30EL,127 Nexperia USA Inc. | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

PSMN017-30EL,127
DigiKey-Teilenr.	1727-7129-ND
Hersteller	Nexperia USA Inc.
Hersteller-Teilenummer	PSMN017-30EL,127
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 32A I2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 32 A (Tc) 47W (Tc) Durchkontaktierung I2PAK
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	32 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	17mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,15V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	10.7 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	552 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	47W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	I2PAK
Gehäuse / Hülle	TO-262-3 mit langen Pins, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer	PSMN017