PSMN1R1-30PL,127 Nexperia USA Inc. | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

PSMN1R1-30PL,127
DigiKey-Teilenr.	1727-5291-ND
Hersteller	Nexperia USA Inc.
Hersteller-Teilenummer	PSMN1R1-30PL,127
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 120 A (Tc) 338W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	120 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,3mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,2V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	243 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	14850 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	338W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	PSMN1R1

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