Name: PSMN1R2-80ASEJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R2-80ASEJTR-ND
Price: 8.69124 CHF
Availability: InStock

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

PSMN1R2-80ASEJ
DigiKey-Teilenr.	1727-PSMN1R2-80ASEJTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1727-PSMN1R2-80ASEJCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1727-PSMN1R2-80ASEJDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Nexperia USA Inc.
Hersteller-Teilenummer	PSMN1R2-80ASEJ
Beschreibung	N-CHANNEL, 80 V, 1.18 MOHM, MOSF
Standardlieferzeit des Herstellers	13 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 375A (Ta) 935W (Tc) Oberflächenmontage CCPAK1212
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	375A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,18mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,6V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	350 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	26187 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	935W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	CCPAK1212
Gehäuse / Hülle	12-BESOP (0,370", 9,40mm Breite) mit freiliegendem Pad