PSMN4R8-100PSEQ Nexperia USA Inc. | Diskrete Halbleiterprodukte

PSMN4R8-100PSEQ ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich

onsemi

Vorrätig: 887

Stückpreis : Fr. 4.22000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

PSMN4R8-100PSEQ
DigiKey-Teilenr.	1727-2471-ND
Hersteller	Nexperia USA Inc.
Hersteller-Teilenummer	PSMN4R8-100PSEQ
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 120 A (Tj) 405W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	120 A (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	5mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	278 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	14400 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	405W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	PSMN4R8