Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung PNP mit Vorspannung 50 V 100 mA 500 mW Durchkontaktierung TO-92-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung PNP mit Vorspannung 50 V 100 mA 500 mW Durchkontaktierung TO-92-3
TO-92-3

PDTA124TS,126

DigiKey-Teilenr.
PDTA124TS,126-ND - Band & Box (TB)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
PDTA124TS,126
Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln mit Vorspannung PNP mit Vorspannung 50 V 100 mA 500 mW Durchkontaktierung TO-92-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Ähnliche Produkte anzeigen
Leere Attribute anzeigen
Kategorie
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
100 bei 1mA, 5V
Hersteller
NXP USA Inc.
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
150mV bei 500µA, 10mA
Verpackung
Band & Box (TB)
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
1µA
Status der Komponente
Obsolet
Leistung - Max.
500 mW
Transistor-Typ
PNP mit Vorspannung
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3
Widerstände enthalten
Nur R1
Basis-Produktnummer
Widerstand - Basis (R1)
22 kOhms
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt.