PHN210,118 NXP USA Inc. | Diskrete Halbleiterprodukte

PHN210,118 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

PHN210,118
DigiKey-Teilenr.	PHN210,118-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	NXP USA Inc.
Hersteller-Teilenummer	PHN210,118
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 8SO
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 2W Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	NXP USA Inc.
Serie	TrenchMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	100mOhm bei 2,2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,8V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	6nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	250pF bei 20V
Leistung - Max.	2W
Betriebstemperatur	-65°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SO
Basis-Produktnummer	PHN210