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Toshiba Semiconductor and Storage
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Halbleiter Photogekoppeltes Relais (Photorelais) SPST-Schließer (1 Form A) 4-DIP (0,300", 7,62mm)
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Halbleiter Photogekoppeltes Relais (Photorelais) SPST-Schließer (1 Form A) 4-DIP (0,300", 7,62mm)
MOS FET Relays Introduction – Episode 1
MOS FET Module Applications - Episode 2

G3VM-101AR1

DigiKey-Teilenr.
39-G3VM-101AR1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
G3VM-101AR1
Beschreibung
SSR RELAY SPST-NO 2A 0-100V
Standardlieferzeit des Herstellers
26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Halbleiter Photogekoppeltes Relais (Photorelais) SPST-Schließer (1 Form A) 4-DIP (0,300", 7,62mm)
Produkteigenschaften
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Kategorie
Spannung - Eingang
1,64 VDC
Herst.
Spannung - Last
0 V ~ 100 V
Serie
Laststrom
2 A
Verpackung
Stange
Durchlasswiderstand (Max.)
200 mOhms
Status der Komponente
Aktiv
Abschluss - Art
PC-Pin
Montagetyp
Durchkontaktierung
Betriebstemperatur
-40°C bis 110°C
Relaistyp
Photogekoppeltes Relais (Photorelais)
Gehäuse / Hülle
Schaltkreis
Gehäusetyp vom Lieferanten
4-DIP
Ausgangstyp
AC, DC
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (3)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
TLP241B(D4,FToshiba Semiconductor and Storage111264-TLP241B(D4F-NDFr. 2.39000Parametrisches Äquivalent
TLP241B(FToshiba Semiconductor and Storage0264-TLP241B(F-NDFr. 2.39000Parametrisches Äquivalent
TLP3556A(FToshiba Semiconductor and Storage6264-TLP3556A(F-NDFr. 2.58000Parametrisches Äquivalent
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