2N6045G onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

2N6045G
DigiKey-Teilenr.	2N6045GOS-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	2N6045G
Beschreibung	TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN - Darlington 100 V 8 A 75 W Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	2N6045G Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
Transistor-Typ	NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	8 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	100 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	2V bei 12mA, 3A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	20µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	1000 bei 3A, 4V
Leistung - Max.	75 W
Frequenz - Übergang	-
Betriebstemperatur	-65°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Basis-Produktnummer	2N6045

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