2N6517G onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

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Direkter Ersatz

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Vorrätig: 2’757

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Vorrätig: 12’928

Stückpreis : Fr. 0.27000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

2N6517G
DigiKey-Teilenr.	2N6517GOS-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	2N6517G
Beschreibung	TRANS NPN 350V 0.5A TO92
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 350 V 500 mA 200MHz 625 mW Durchkontaktierung TO-92 (TO-226)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	2N6517G Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Obsolet
Transistor-Typ	NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	500 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	350 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	1V bei 5mA, 50mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	50 nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	20 bei 50mA, 10V
Leistung - Max.	625 mW
Frequenz - Übergang	200MHz
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-226-3, TO-92-3 langer Körper
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-92 (TO-226)
Basis-Produktnummer	2N6517