Name: 2N7000-D75Z
Brand: onsemi
SKU: 488-2N7000-D75ZTB-ND
Price: 0.45402 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

2N7000-D75Z
DigiKey-Teilenr.	488-2N7000-D75ZCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-2N7000-D75ZTB-ND - Band & Box (TB)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	2N7000-D75Z
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Durchkontaktierung TO-92-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	200mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	5Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 1mA
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	50 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	400mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-92-3
Gehäuse / Hülle	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen
Basis-Produktnummer	2N7000