TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

2N7000

DigiKey-Teilenr.
2N7000FS-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
2N7000
Beschreibung
MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Durchkontaktierung TO-92-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
2N7000 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3V bei 1mA
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
50 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
400mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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10Fr. 0.30900Fr. 3.09
100Fr. 0.19730Fr. 19.73
500Fr. 0.14926Fr. 74.63
1’000Fr. 0.13375Fr. 133.75
2’000Fr. 0.12069Fr. 241.38
5’000Fr. 0.10653Fr. 532.65
10’000Fr. 0.09778Fr. 977.80
50’000Fr. 0.08300Fr. 4’150.00
Standardverpackung des Herstellers
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