2SA2169-E onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

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Vorrätig: 2’881

Stückpreis : Fr. 1.05000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

2SA2169-E
DigiKey-Teilenr.	2SA2169-EOS-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	2SA2169-E
Beschreibung	TRANS PNP 50V 10A TP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 50 V 10 A 130MHz 950 mW Durchkontaktierung TP
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	2SA2169-E Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Obsolet
Transistor-Typ	PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	10 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	50 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	580mV bei 250mA, 5A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	200 bei 1A, 2V
Leistung - Max.	950 mW
Frequenz - Übergang	130MHz
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-251-3 mit kurzen Pins, IPAK, TO-251AA
Gehäusetyp vom Lieferanten	TP
Basis-Produktnummer	2SA2169