2SB1122T-TD-E onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

2SB1122T-TD-E
DigiKey-Teilenr.	2SB1122T-TD-EOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 2SB1122T-TD-EOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	2SB1122T-TD-E
Beschreibung	TRANS PNP 50V 1A PCP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 50 V 1 A 150MHz 500 mW Oberflächenmontage PCP
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	2SB1122T-TD-E Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)
Status der Komponente	Obsolet
Transistor-Typ	PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	1 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	50 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	500mV bei 50mA, 500mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	100 nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	100 bei 100mA, 2V
Leistung - Max.	500 mW
Frequenz - Übergang	150MHz
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	TO-243AA
Gehäusetyp vom Lieferanten	PCP
Basis-Produktnummer	2SB1122

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