2SB1216S-TL-E onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

2SB1216S-TL-E
DigiKey-Teilenr.	2SB1216S-TL-EOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 2SB1216S-TL-EOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	2SB1216S-TL-E
Beschreibung	TRANS PNP 100V 4A TP-FA
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 100 V 4 A 130MHz 1 W Oberflächenmontage TP-FA
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	2SB1216S-TL-E Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)
Status der Komponente	Obsolet
Transistor-Typ	PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	4 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	100 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	500mV bei 200mA, 2A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	140 bei 500mA, 5V
Leistung - Max.	1 W
Frequenz - Übergang	130MHz
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Gehäusetyp vom Lieferanten	TP-FA
Basis-Produktnummer	2SB1216

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