2SC3503ESTU onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

2SC3503ESTU
DigiKey-Teilenr.	2SC3503ESTU-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	2SC3503ESTU
Beschreibung	TRANS NPN 300V 0.1A TO-126-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 300 V 100 mA 150MHz 7 W Durchkontaktierung TO-126-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	2SC3503ESTU Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
Transistor-Typ	NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	300 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	600mV bei 2mA, 20mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	100 nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	100 bei 10mA, 10V
Leistung - Max.	7 W
Frequenz - Übergang	150MHz
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-225AA, TO-126-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-126-3
Basis-Produktnummer	2SC3503