2SD1060R-1E onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

2SD1060R-1E ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz

onsemi

Vorrätig: 0

Stückpreis : Fr. 1.70000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

2SD1060R-1E
DigiKey-Teilenr.	2SD1060R-1E-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	2SD1060R-1E
Beschreibung	TRANS NPN 50V 5A TO-220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 50 V 5 A 30MHz 1.75 W Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	2SD1060R-1E Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
Transistor-Typ	NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	5 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	50 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	300mV bei 300mA, 3A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	100µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	100 bei 1A, 2V
Leistung - Max.	1.75 W
Frequenz - Übergang	30MHz
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-3
Basis-Produktnummer	2SD1060