2SK4066-DL-E onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

2SK4066-DL-E ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich

Infineon Technologies

Vorrätig: 349

Stückpreis : Fr. 2.82000

Ähnlich

Renesas Electronics Corporation

Vorrätig: 2’920

Stückpreis : Fr. 2.40000

Ähnlich

STMicroelectronics

Vorrätig: 1’840

Stückpreis : Fr. 1.86000

Ähnlich

STMicroelectronics

Vorrätig: 697

Stückpreis : Fr. 4.04000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

2SK4066-DL-E
DigiKey-Teilenr.	2SK4066-DL-E-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	2SK4066-DL-E
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 100A SMP-FD
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 100 A (Ta) 1,65W (Ta), 90W (Tc) Oberflächenmontage SMP-FD

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	100 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,7mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	220 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	12500 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,65W (Ta), 90W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SMP-FD
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	2SK4066