5LN01C-TB-E onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

5LN01C-TB-E ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich

onsemi

Vorrätig: 0

Stückpreis : Fr. 0.23000

Ähnlich

Rohm Semiconductor

Vorrätig: 251’281

Stückpreis : Fr. 0.20000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

5LN01C-TB-E
DigiKey-Teilenr.	5LN01C-TB-EOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	5LN01C-TB-E
Beschreibung	MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 50 V 100mA (Ta) 250mW (Ta) Oberflächenmontage SC-59-3/CP3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	5LN01C-TB-E Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	50 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	100mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,5V, 4V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	7,8Ohm bei 50mA, 4V
Vgs(th) (max.) bei Id	-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	1.57 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6.6 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	250mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SC-59-3/CP3
Gehäuse / Hülle	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer	5LN01