Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 80 V 1.5 A 1.25 W Durchkontaktierung TO-126-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BD13910STU

DigiKey-Teilenr.
BD13910STUOS-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
BD13910STU
Beschreibung
TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 80 V 1.5 A 1.25 W Durchkontaktierung TO-126-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1.5 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
500mV bei 50mA, 500mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100 nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
63 bei 150mA, 2V
Leistung - Max.
1.25 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-225AA, TO-126-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-126-3
Basis-Produktnummer
BD13910
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