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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent

FCH099N65S3-F155
onsemi
Vorrätig: 639
Stückpreis : Fr. 4.22000
Datenblatt

Ähnlich

APT30N60BC6
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 3.66000
Datenblatt

Ähnlich

APT38N60BC6
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 5.20000
Datenblatt

Ähnlich

IPW60R099C6FKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 111
Stückpreis : Fr. 5.58000
Datenblatt

Ähnlich

IPW60R125C6FKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 253
Stückpreis : Fr. 3.69000
Datenblatt

Ähnlich

IXFH34N65X2
IXYS
Vorrätig: 103
Stückpreis : Fr. 7.52000
Datenblatt

Ähnlich

IXFR64N60Q3
IXYS
Vorrätig: 30
Stückpreis : Fr. 31.32000
Datenblatt

Ähnlich

IXFX44N60
IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 13.11730
Datenblatt

Ähnlich

IXFX48N60P
IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 8.38260

Ähnlich

IXFX48N60Q3
IXYS
Vorrätig: 38
Stückpreis : Fr. 22.81000
Datenblatt

Ähnlich

IXFX52N60Q2
IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 12.27000
Datenblatt

Ähnlich

IXKH30N60C5
IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 3.60700

Ähnlich

IXKH35N60C5
IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
Datenblatt

Ähnlich

IXTH32N65X
IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 5.07433
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TO-247-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FCH099N65S3_F155

DigiKey-Teilenr.
FCH099N65S3_F155-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
FCH099N65S3_F155
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 30 A (Tc) 227W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
FCH099N65S3_F155 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
SuperFET® III
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
30 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
99mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 3mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2480 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
227W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Basis-Produktnummer
FCH099
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