N-Kanal 650 V 35 A (Tc) 357W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
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FCH110N65F-F155

DigiKey-Teilenr.
FCH110N65F-F155-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FCH110N65F-F155
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
28 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 35 A (Tc) 357W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
FCH110N65F-F155 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 3,5mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
145 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4895 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
357W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
110mOhm bei 17,5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 7.16000Fr. 7.16
30Fr. 4.20333Fr. 126.10
120Fr. 3.55500Fr. 426.60
510Fr. 3.20588Fr. 1’635.00
Standardverpackung des Herstellers
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