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FCH125N60E | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | FCH125N60E-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | FCH125N60E |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 29 A (Tc) 278W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | FCH125N60E Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 95 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2990 pF @ 380 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 278W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 125mOhm bei 14,5A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| NTHL120N60S5Z | onsemi | 259 | 488-NTHL120N60S5Z-ND | Fr. 5.59000 | Vom Hersteller empfohlen |
| IPW60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | 156 | IPW60R125P6XKSA1-ND | Fr. 4.21000 | Ähnlich |
| IXFH34N65X2 | IXYS | 3’809 | 238-IXFH34N65X2-ND | Fr. 7.84000 | Ähnlich |
| SCT3080ALGC11 | Rohm Semiconductor | 413 | SCT3080ALGC11-ND | Fr. 10.50000 | Ähnlich |
| SIHG28N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG28N65EF-GE3-ND | Fr. 2.42658 | Ähnlich |






